IRFHE4250D配備IR新一代硅技術，并采用了適合背面貼裝的6×6PQFN頂部外露纖薄封裝，為電源拈帶來更多封裝選擇。這款封裝結合了出色的散熱性能、低導通電阻(Rds(on))與柵極電荷(Qg)，提供卓越的功率密度和較低的開關損耗，從而縮減電路板尺寸，提升整體系統(tǒng)效率。

        IR推出IRFHE4250DFastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴充電源拈組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電源拈產品減少5%以上的功率損耗，適用于12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網(wǎng)絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本(Ultrabook)和筆記本電腦等。

        IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“高達60A額定值的IRFHE4250DFastIRFETMOSFET是全球首款頂部外露電源拈器件，提供行業(yè)領先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高性能DC-DC應用。”

        與IR的其它電源拈器件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅動器共同操作，以提供設計靈活性，同時以小的占位面積實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率，還為IR電源拈帶來全新的6×6PQFN封裝選擇。

        IRFHE4250D符合工業(yè)標準及第二級濕度敏感度(MSL2)標準，并采用了6×6PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產品有害物質管制規(guī)定(RoHS)的環(huán)保物料清單。

規(guī)格